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四千亿元扩增内存工厂?美光:没打算扩增内存产能
作者: 发布日期:2019-09-02

日前有报道称,美光将在中科园区投资4000亿新台币建设A3、A5两座晶圆厂,预计今年Q4季度开始生产最先进的1Znm工艺DRAM内存芯片,规划的产能高达6万片晶圆/月。

在当前内存价格连跌了三个季度、市场供需面临不确定时,美光此时大举增加投资扩产内存产能,此举被业内人士视为内存价格进一步下滑的开始。

不过美光方面回应称,A3工厂预计明年Q4季度完工,主要是扩建了无尘室,A5工厂目前还在寻找地点,尚无具体规划,投资金额也不便透露。

美光强调,目前在全球的产能布局原则仅仅是提升制程工艺,重点是提升存储产品的容量,但不会增加晶圆投片数量,换句话说就是美光增加内存投资也只是为了提升产品的容量,提高自家产品的竞争力,但是晶圆产能并不会增加,市场上的供需情况不会因为这些投资而变。

在扩建内存产能之前,美光前几天还扩建了位于新加坡的Fab 10A闪存工厂,新盖了无尘室等生产设施,提高了Fab 10晶圆厂的生产灵活性,但美光同样强调并不打算增产NAND,通过资本开支调整、技术转换等方式,Fab 10厂区的总产能不变。 




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